Простой пробник-измеритель полевых JFET транзисторов

Вот уж не думал, что придется развлекаться с полевыми транзисторами. Когда транзисторы попали в руки, то встал вопрос: чем измерить основные параметры. Ну это просто! — скажут многие. Я тоже так считаю, но когда речь идет о нескольких десятках и более транзисторов — впору подумать об удобстве измерений.

Результат моих размышлений предлагаю к ознакомлению. Самое приятное — все можно сделать «на коленке» быстро и не затейливо. Практика изготовления устройств на полевых JFET транзисторах предполагает измерение двух основных параметров этих транзисторов: начальный ток стока (Idss) и напряжение отсечки (Vp). Принцип измерения позволяет проводить измерения «китайским» тестером с символьным индикатором. JFET транзисторы — это популярные КП302, КП303, КПС104, КП103 и им подобные...

В случае измерения Idss JFET транзистора необходимо замкнуть затвор с истоком, на сток подать «+9В», плюс миллиамперметра подключить к затвору с истоком, минус миллиамперметра подключить к «−9В».

Для измерения Vp JFET транзистора необходимо плюс вольтметра подключить к истоку, минус вольтметра подключить к затвору, «+9В» подключить к стоку, «−9В» подключить к затвору с минусом вольтметра. Необходимо отметить, что входное сопротивление вольтметра должно быть более или равно 1000кОм.
Схема пробника-измерителя основных параметров полевых JFET транзисторов представлена ниже. Схема моделировалась в программе Micro-Cap 9.0.7.0 в режиме Dynamic DC (Alt+4).

Максимальный Idss исследуемого транзистора не должен превышать 25мА для указанного номинала резистора R1.


Для удобства использования пробника-измерителя введен сдвоенный переключатель SW2+SW3, которым возможно выбирать структуру канала измеряемого транзистора. Кнопка включения питания SW1 имеет нормально-разомкнутый контакт. Светодиоды HL1 или HL2 при замыкании SW1 указывают на структуру канала измеряемого транзистора. Переключатель SW4 выбирает режим измерения.
Элементы схемы Q1, Q2, R1, R2 ограничивают максимальный ток, потребляемый от источника питания V1 на уровне 27мА при 20°С в случае короткого замыкания выводов транзистора. Ограничение по току транзисторам только на пользу! Ток можно увеличить, пропорционально уменьшая номинал резистора R1.
Транзисторы Q1, Q2 — любые биполярные структуры p-n-p, например КТ3107. Резисторы — любые. Источник V1 — батарейка «Крона». Можно использовать любой стабилизированный источник напряжением 12В.

JFET транзисторы не боятся статического электричества, хотя если очень постараться — то все получится...

Печатная плата и конструктивное исполнение не предлагаются — во всем должно быть творчество. Как по мне — то навесной монтаж и еж из проводов на столе — это самое настоящее радиолюбительство!

↑ Файлы:

Файлик симуляции в формате Micro-Cap 6 и Micro-Cap 9 предоставляется как есть, без вопросов: почему не запускается и не работает.
🎁jfet-meter. zip  10.05 Kb ⇣ 53

↑ Ссылки:

1. A closer look at the Fetzer Valve. FET booster based on a vintage Fender 12AX7 input stage

Камрад, рассмотри датагорские рекомендации